退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗效应的影响

vinny911 · 发表于 2013-1-7 07:18:29

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研究了退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗(SI)效应的影响.结果表明,与淬态非晶薄带相比,退火可以改变非晶薄带的SI效应.当退火时间为1 h,退火温度低于300 ℃时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火温度的升高而增强,退火温度升高到400 ℃时,薄带的SI效应减弱;当退火温度为300 ℃,退火时间小于1.5 h时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火时间的延长而增强,退火时间大于1.5 h时,薄带的SI效应反而随着退火时间的延长而减弱;经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应最强.当测试压应力为1.42 MPa,测试频率为60 MHz时,淬态非晶薄带的SI效应为1.12%,经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应可达1.52%.

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[工艺] 退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗效应的影响

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