TA的每日心情 | 开心 2018-3-18 07:14 |
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签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
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发表于 2016-4-25 10:40:54
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本帖最后由 castengineer 于 2016-4-25 11:08 编辑 ; p, v$ {; j. u1 ~9 \
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无论你如果配料.要把C-SI-FE三元合金的相图.用FE-C侧的成份.再到如2.4或3.5的硅时.在用FE-C侧的成份座标上来谈某球铁的配料时.共晶点在碳值的某数值上.都是不准确的.因它把C-SI-FE三元合金的共晶点.在三维空间的某座标上.截取在FE-C侧的成份二维截面的座标上.对于你的问题:
1 H# ]( r2 a. c5 ^8 c" w4 g0 g% H你可以如某些相图那样.如图示.
4 c# P# }, N/ I' @" [千万别把这个共晶成份的球铁的结晶过程.如同铁碳合金的结晶过程l来看待.球铁的结晶无论如何成份.都会有一个初晶石墨或奥氏体的先结晶过程后.才能具备共晶合金的结晶特点.也就是说.都有经过一个结晶温度间隔的结晶后.才有共晶结晶过程.
% \& ?6 i5 S" ]' c2 X8 R因为们军得不到准确的截面图.
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t; ]0 D: x0 h4 p) M2 F# w也就是说.2.4硅的共晶点图也只不过用于参考. |
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