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[其它] 电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究

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发表于 2011-11-18 06:46:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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采用电子束熔炼对98.8%的工业硅进行提纯,研究电子束熔炼参数的变化对各种杂质元素的去除效果,同时分析熔炼后杂质元素在硅锭上的分布状态。实验结果表明。电子束熔炼对硅中的主要杂质都有一定的去除效果,对P、Ca、Al效果较为明显,熔炼时间越长效果越好。

电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究.pdf

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