[机理] 热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响

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发表于 2017-6-26 14:31:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜, 经热处理得到NiO膜. 研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响. 结果发现:在250～500 ℃, 随着热处理温度的升高, NiO膜电极比电容量逐渐减小;钴掺杂使比电容量显著增大

GMT+8, 2024-5-19 03:06 , Processed in 0.111700 second(s), 26 queries .

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