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[其它] 低温净化冶金硅工艺

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发表于 2012-1-17 07:06:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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摘要:硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大.金属熔析净化法可以实现冶金硅在金属液中低温下熔化,而后再结晶净化,是一种可行的低能耗硼磷去除方法.对熔析体系的选择原则进行总结,筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质.对于Sn-Si体系,1 500 K时硼的分凝系数为0.038,远小于纯硅熔点的对应值0.8.冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由15×10-6降至0.1×10-6,而多数金属杂质可一次性去除至0.1×10-6以下.在熔析过程中,杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式.提出一种以金属熔析法为基础的低温冶金硅净化工艺.

低温净化冶金硅工艺.pdf

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